産業技術総合研究所は、ミズホと不二越機械工業と共同で、パワー半導体用大口径ＳｉＣ（炭化ケイ素）ウェハの高速研磨技術を開発したと発表した。ＳｉＣウェハの鏡面研磨を従来比１２倍の速度で達成したほか、複数枚のウェハを同時に加工するバッチ式研磨で加工時間の大幅な短縮を実現した。今後は産総研の先進パワーエレクトロニクス研究センターが保有している６イン...