産業技術総合研究所（産総研）は５日、ゲルマニウム（Ｇｅ）単結晶を膜厚１０ナノメートル以下に薄膜化する技術を開発したと発表した。　さらに、この均一なＧｅ超薄膜を絶縁膜で挟むとＧｅ膜中の電子移動度が急激に向上する新現象も発見した。高速情報処理を低消費電力で行える大規模集積回路（ＬＳＩ）の実現や新たな電子・光デバイスへの応用展開が期待されている。...