パワー半導体用「SiCウェハー」/昭和電工が量産開始
昭和電工は28日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハー(SiCエピウェハー)の材料である6インチ(150ミリ)のSiC単結晶基板(SiCウェハー)の量産を開始したと発表した。 SiCパワー半導体は、現在主流のSi(シリコン)製パワー半導体に比べて耐高温特性・耐高電圧特性・大電流特性に優れ、パワーモジュール...
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