昭和電工は２８日、ＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体に使用されるＳｉＣエピタキシャルウェハー（ＳｉＣエピウェハー）の材料である６インチ（１５０ミリ）のＳｉＣ単結晶基板（ＳｉＣウェハー）の量産を開始したと発表した。　ＳｉＣパワー半導体は、現在主流のＳｉ（シリコン）製パワー半導体に比べて耐高温特性・耐高電圧特性・大電流特性に優れ、パワーモジュール...