産業技術総合研究所（産総研）は、村田製作所と共同で、世界最高性能の窒化ガリウム（ＧａＮ）圧電薄膜を作製したと発表した。低コストで成膜温度の低い「ＲＦスパッタ法」と呼ばれる手法を用い、単結晶と同等の圧電性能を示すＧａＮ薄膜の作製法を開発するとともに、スカンジウム（Ｓｃ）を添加することで圧電性能が飛躍的に向上することを実証した。　ＧａＮは、ＬＥ...