東京工業大学などの研究グループが、強誘電体の窒化アルミニウムスカンジウム（ＡｌＳｃ）において、スカンジウムを低濃度にすることで従来よりも高い強誘電性を発現する膜を作製したと発表した。さらに１０万分の１ミリメートル（１０ナノメートル）以下の窒化ＡｌＳｃ薄膜でも強誘電性を示すことを世界で初めて確認した。単純な構造で強誘電体の膜が作製できるためコ...