物質・材料研究機構（ＮＩＭＳ）と筑波大学は、半導体用高純度シリコンの収率の限界を突破する技術を開発したと発表した。従来は２５％が限界と言われていた生成法「シーメンス法」で収率が１５％以上向上することを確認した。高純度シリコン生成プロセスの改善や低コスト化が期待されている。　今回開発されたのは、反応性の高い水素ラジカルを大気圧で発生・輸送でき...