昭和電工は１４日、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャルウエハー（エピウエハー）の高品質グレードエピウエハー「ハイグレードエピ（ＨＧＥ）」の生産能力を増強すると発表した。秩父事業所に設備を導入し、１８年４月からの稼働を目指す。月産能力は現在の３千枚から５千枚に拡大する。　ＳｉＣパワー半導体は、現在主流のシリコンに比べ耐高...