産業技術総合研究所は、化学薬品による表面処理と低温加熱だけでダイヤモンド基板とシリコン（Ｓｉ）基板を直接接合する技術を開発したと発表した。高温処理や超高真空プロセスが不要で、ダイヤモンドを用いたパワー半導体の量産化を後押しする技術として期待されている。今後はＳｉＣ（炭化ケイ素）やＧａＮ（窒化ガリウム）など他のパワー半導体材料との接合などにも取...