産業技術総合研究所（産総研）は２５日、１６ｋＶの高電圧に耐えるＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体トランジスタを開発したと発表した。シリコンでは不可能な１０ｋＶ以上の耐電圧と低損失性を持つパワー半導体を開発したことで電力ネットワークにおけるスイッチやトランスの半導体化、次世代スマートグリッド構築を通した電力分野での省エネルギー化への貢献が期待でき...