新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）と超低電圧デバイス技術研究組合はこのほど、従来の３分の１の電圧（０・３７ボルト）で動作する超低電圧デバイスを開発したと発表した。新たなトランジスタ構造を用いた集積回路を開発するとともに、超低電圧でのデータ記憶を可能とする不揮発デバイスを開発した。消費電力が１ケタ以上小さなＬＳＩ（大規模集積回路）が...