レゾナックは１５日、次世代エレクトロニクス材料である炭化ケイ素（ＳｉＣ）において、直径３００ミリ（１２インチ）のＳｉＣ単結晶の成長・基板加工に成功したと発表した。レゾナックは市場の主流である１５０ミリ（６インチ）のＳｉＣエピウェハーを主に供給しており、２００ミリ（８インチ）ＳｉＣエピウェハーの出荷も開始しているが、世界最大級の口径となる３０...