レゾナックと東北大学大学院工学研究科は８日、シリコンウェハーの製造過程で発生する廃棄物（シリコンスラッジ）と二酸化炭素（ＣＯ２）を原料とした炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末を、パワー半導体に用いるＳｉＣ単結晶材料の成長用原料として応用するための本格的な検討を開始したと発表した。この技術が実用化すれば、ＳｉＣパワー半導体は製造工程でもＣＯ２排出量の削...