産業技術総合研究所（産総研）はこのほど、太平洋セメントおよび屋久島電工と共同で、パワー半導体用炭化ケイ素（ＳｉＣ）バルク単結晶の高速成長を可能とする昇華法用高純度ＳｉＣ粉末原料を開発したと発表した。ガスの透過性を利用した空気透過法（ブレーン法）を用いて現状の製造工程での温度条件を大きく変えずに成長速度を約２倍に向上させることが可能となり、高温...