パウデック（社長・河合弘治氏）は２日、大電流・高耐圧動作の実証研究を行なっていた新構造の窒化ガリウム（ＧａＮ）パワートランジスタの実用化にめどをつけたと発表した。１５０ミリシリコン（Ｓｉ）基板上に作製したデバイスにおいて耐圧６００Ｖ以上、飽和電流１０Ａ以上のデバイス特性を実現した。今後はサンプル提供を進めるとともに、さらなる特性向上を図り、１...