東京大学生産技術研究所は５日、次世代パワーエレクトロニクス材料として期待される窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）の高品質な半導体結晶を安価に合成する手法を開発したと発表した。安価で、広く使われているスパッタリング法を用いるため、製造コストの大幅低減と早期の社会実装が可能。また、ＧａＮ中に高濃度のシリコンを添加することで「縮退ＧａＮ」と呼...