産業技術総合研究所は、窒化物半導体薄膜結晶を作製するための新手法を開発したと発表した。準大気圧プラズマ源を組み込んだ有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置を独自に開発し、高密度窒素系活性種を原料に高品質窒化インジウムの成長を実現した。同装置を用いた窒化インジウム薄膜結晶を分析したところ、世界最高速の成長速度で世界最高水準の結晶品質を実現できたこ...